RP1E100XNTR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

11 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

45 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Teil # Aliase:

RP1E100XN

Tags

RP1E100, RP1E10, RP1E1, RP1E, RP1