CDM2206-800LR SL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

800 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

24.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

110 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

UltraMOS

Verpackung:

Rohr

Serie:

CDM220

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Zentraler Halbleiter

Abfallzeit:

25.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

22.7 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.3 ns

Teil # Aliase:

CDM2206-800LR PBFREE SL

Tags

CDM220, CDM22, CDM2, CDM