GS-065-008-1-L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

GaN-Systeme

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

GaN-Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PDFN-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

541 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 10 V to 7 V

Qg - Gate-Ladung:

1.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

GS-065

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

GaN-Systeme

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

GS-065-008-1-L-E01-MR