ZXM62P03E6TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

150 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

10.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.3 mm

Länge:

3.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

ZXM62P0

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.8 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.1 S

Abfallzeit:

10.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.8 ns

Gewichtseinheit:

0.000529 oz

Tags

ZXM62P03E6T, ZXM62P03E, ZXM62P03, ZXM62P, ZXM62, ZXM6, ZXM