DMN2501UFB4-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

X2-DFN1006-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

700 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN25

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

17.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40.4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.6 ns

Gewichtseinheit:

0.000028 oz

Tags

DMN250, DMN25, DMN2, DMN