QPD1004SR

QPD1004SR
Mfr. #:
QPD1004SR
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors .03-1.2GHz 25W 50V GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
QPD1004SR Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
20.8 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
50 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
145 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
3.6 A
Ausgangsleistung:
40 W
Maximale Drain-Gate-Spannung:
55 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Pd - Verlustleistung:
27.6 W
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
DFN-8
Verpackung:
Spule
Arbeitsfrequenz:
30 MHz to 1200 MHz
Serie:
QPD1004
Marke:
Qorvo
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
-
Entwicklungs-Kit:
QPD1004EVB1
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
100
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
QPD1004
Tags
QPD100, QPD10, QPD1, QPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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***et
GaN RF Input-Matched Transistor 25W 50V 30MHz to 1200MHz 8-Pin DFN Reel
***el Electronic
RF JFET Transistors .03-1.2GHz 25W 50V GaN
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
QPD1004SR
DISTI # 772-QPD1004SR
QorvoRF JFET Transistors .03-1.2GHz 25W 50V GaN
RoHS: Compliant
21
  • 1:$80.1000
  • 25:$70.7800
  • 100:$62.5400
Bild Teil # Beschreibung
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