KSA3010RTU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3P-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 120 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 120 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 2.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

6 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

30 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 50 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

160

Höhe:

19.9 mm

Länge:

15.6 mm

Verpackung:

Rohr

Breite:

4.8 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 6 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

55

Pd - Verlustleistung:

60 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.238311 oz

Tags

KSA30, KSA3, KSA