DMPH4015SSS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

91 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

26 S

Abfallzeit:

138 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

303 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13.2 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMPH4015, DMPH401, DMPH4, DMPH, DMP