DMT5015LFDF-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

U-DFN2020-F-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

6.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.9 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMT50

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

2.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.1 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.8 ns

Tags

DMT5, DMT