IXTA200N055T2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

55 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

109 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

360 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.83 mm

Länge:

9.65 mm

Serie:

IXTA200N055

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

TrenchT2 Power MOSFET

Breite:

10.41 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

50 S

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

22 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

49 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

26 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXTA200N05, IXTA200, IXTA20, IXTA2, IXTA, IXT