TK31V60W5,LVQ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN8x8-5

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

87 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

105 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

240 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

DTMOSIV

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

8 mm

Serie:

TK31

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

8 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

8.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

80 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

165 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

120 ns

Tags

TK31V60W5, TK31V60W, TK31V, TK31, TK3