BCY58-VII

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-18

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

32 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

32 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

200 mA

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

150 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

Verpackung:

Schüttgut

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

100 mA

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40 At 100 mA, 1 V

Pd - Verlustleistung:

340 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

BCY58-VII PBFREE

Tags

BCY58-V, BCY58, BCY5, BCY