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BUZ73A H

BUZ73A H
Mfr. #:
BUZ73A H
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 200V 5.5A TO220-3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BUZ73A H Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
200 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
5.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
600 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
40 W
Aufbau:
Single
Handelsname:
OptiMOS
Verpackung:
Rohr
Höhe:
15.65 mm
Länge:
10 mm
Serie:
BUZ73
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.4 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
30 nS
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
40 nS
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
55 nS
Teil # Aliase:
BUZ73AHXKSA1 SP000683004
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
BUZ73AH, BUZ73A, BUZ73, BUZ7, BUZ
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BUZ73A H
DISTI # BUZ73AH-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 2000
Container: Tube		Limited Supply - Call
    BUZ73A H3046
    DISTI # BUZ73AH3046-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 500
    Container: Tube    		Limited Supply - Call
      BUZ 73A H
      DISTI # BUZ73AH      		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 - Bulk (Alt: BUZ73AH)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 834
      Container: Bulk      		Americas - 0
        BUZ73AHXKSA1
        DISTI # BUZ73AHXKSA1        		Infineon Technologies AG- Bulk (Alt: BUZ73AHXKSA1)
        RoHS: Compliant
        Min Qty: 863
        Container: Bulk        		Americas - 0
        • 8630:$0.3679
        • 4315:$0.3749
        • 2589:$0.3879
        • 1726:$0.4019
        • 863:$0.4169
        BUZ73A H
        DISTI # 726-BUZ73AH        		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 200V 5.5A TO220-3
        RoHS: Compliant        		0
          BUZ73A H3046
          DISTI # 726-BUZ73AH3046          		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 200V 5.5A TO220-3
          RoHS: Compliant          		0
            BUZ73AH3046Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
            RoHS: Not Compliant            		12135
            • 1000:$0.4000
            • 500:$0.4200
            • 100:$0.4300
            • 25:$0.4500
            • 1:$0.4900
            BUZ73AHXKSA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
            RoHS: Compliant            		16100
            • 1000:$0.3800
            • 500:$0.4000
            • 100:$0.4200
            • 25:$0.4400
            • 1:$0.4700
            Bild Teil # Beschreibung
            BUZ73A H

            Mfr.#: BUZ73A H

            OMO.#: OMO-BUZ73A-H

            		 MOSFET N-Ch 200V 5.5A TO220-3
            BUZ73L

            Mfr.#: BUZ73L

            OMO.#: OMO-BUZ73L

            		 MOSFET N-Ch 200V 7A TO220-3
            BUZ71A

            Mfr.#: BUZ71A

            OMO.#: OMO-BUZ71A-1190

            		 TO220 NCH MOS 50V .12R
            BUZ73A H

            Mfr.#: BUZ73A H

            OMO.#: OMO-BUZ73A-H-INFINEON-TECHNOLOGIES

            		 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
            BUZ73AE3046XK

            Mfr.#: BUZ73AE3046XK

            OMO.#: OMO-BUZ73AE3046XK-INFINEON-TECHNOLOGIES

            		 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
            BUZ73L H

            Mfr.#: BUZ73L H

            OMO.#: OMO-BUZ73L-H-1190

            		 MOSFET N-Ch 200V
            BUZ76A

            Mfr.#: BUZ76A

            OMO.#: OMO-BUZ76A-1190

            		 Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
            BUZ77

            Mfr.#: BUZ77

            OMO.#: OMO-BUZ77-1190

            		 Neu und Original
            BUZ78A

            Mfr.#: BUZ78A

            OMO.#: OMO-BUZ78A-1190

            		 Neu und Original
            BUZ73 H3046

            Mfr.#: BUZ73 H3046

            OMO.#: OMO-BUZ73-H3046-126

            		 IGBT Transistors MOSFET N-Ch 200V 7A I2PAK-3
            Verfügbarkeit
            Aktie:
            Available
            Auf Bestellung:
            5500
            Menge eingeben:
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