IPI45N06S4L08AKSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

45 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

64 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

71 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.45 mm

Länge:

10.2 mm

Serie:

XPI45N06

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Teil # Aliase:

IPI45N06S4L-08 IPI45N06S4L08XK SP000374333

Gewichtseinheit:

0.084199 oz

Tags

IPI45N06S4L0, IPI45N06S4L, IPI45N06S4, IPI45N, IPI45, IPI4, IPI