FDB9503L-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263AB-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

110 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

255 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

333 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

310 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

86 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

700 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

FDB9503L_F085

Gewichtseinheit:

0.046296 oz

Tags

FDB950, FDB95, FDB9, FDB