NTR2101PT1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

8 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

79 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

960 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.94 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.3 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

9 S

Abfallzeit:

15.75 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15.75 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

38 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.4 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

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