FDS3570

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

80 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

40 S

Abfallzeit:

24 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

60 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Teil # Aliase:

FDS3570_NL

Gewichtseinheit:

0.002998 oz

Tags

FDS357, FDS35, FDS3, FDS