FDS4559

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

55 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

FDS4559

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

14 S, 9 S

Abfallzeit:

6 ns, 12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns, 10 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns, 19 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns, 7 ns

Teil # Aliase:

FDS4559_NL

Gewichtseinheit:

0.006596 oz

Tags

FDS455, FDS45, FDS4, FDS