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FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT
Mfr. #:
FDFME2P823ZT
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET -20V Integrated P-Ch PwrTrnch w/Sch Diode
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FDFME2P823ZT Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Gewichtseinheit
0.000889 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
microFET-6
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Aufbau
Single mit Schottky-Diode
Transistor-Typ
2 P-Channel
Pd-Verlustleistung
1.3 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
16 ns
Anstiegszeit
4.8 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
+/- 8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
- 2.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
- 0.6 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
95 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
33 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
4.7 ns
Qg-Gate-Ladung
5.5 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
7 S
Tags
FDFME, FDFM, FDF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Global
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin MicroFET T/R
***nell
MOSFET, P CH, 20V, 2.6A, 6MICROFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.6A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-600mV; Power Dissipation Pd:1.4W; Transistor Case Style:µFET; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
***rchild Semiconductor
This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable appliacrions. It features as MOSFET with low on-state resistance and an independently connected low forward voltage schottky diode for minimum condution losses. The MicroFET 1.6x1.6 Thin package offers exceptional thermal performance for it's physical size and is well suited to switching and linear mode applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FDFME2P823ZT
DISTI # FDFME2P823ZTTR-ND		ON SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    FDFME2P823ZT
    DISTI # FDFME2P823ZTCT-ND    		ON SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      FDFME2P823ZT
      DISTI # FDFME2P823ZTDKR-ND      		ON SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        FDFME2P823ZTFairchild Semiconductor CorporationSmall Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
        RoHS: Compliant        		40000
        • 1000:$0.2900
        • 500:$0.3100
        • 100:$0.3200
        • 25:$0.3400
        • 1:$0.3600
        FDFME2P823ZT
        DISTI # 512-FDFME2P823ZT        		ON SemiconductorMOSFET -20V Integrated P-Ch PwrTrnch w/Sch Diode
        RoHS: Compliant        		0
          Bild Teil # Beschreibung
          FDFME2P823ZT

          Mfr.#: FDFME2P823ZT

          OMO.#: OMO-FDFME2P823ZT-ON-SEMICONDUCTOR

          		 IGBT Transistors MOSFET -20V Integrated P-Ch PwrTrnch w/Sch Diode
          Verfügbarkeit
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          Available
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          0,39 $
          10
          0,37 $
          3,70 $
          100
          0,35 $
          35,10 $
          500
          0,33 $
          165,75 $
          1000
          0,31 $
          312,00 $
          Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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