RFP15P05

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

15 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

150 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

80 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

16.3 mm

Länge:

10.67 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns

Gewichtseinheit:

0.090478 oz

Tags

RFP15P, RFP15, RFP1, RFP