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ZXMS6004DN8-13

ZXMS6004DN8-13
Mfr. #:
ZXMS6004DN8-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
MOSFET Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
ZXMS6004DN8-13 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
ZXMS6004DN8-13 DatasheetZXMS6004DN8-13 Datasheet (P4-P6)ZXMS6004DN8-13 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
ZXMS6004DN8-13 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Eingebaute Dioden
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SO-8
Anzahl der Kanäle:
2 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
60 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
1.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
600 mOhms, 600 mOhms
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
1.56 W
Aufbau:
Dual
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
IntelliFET
Verpackung:
Spule
Höhe:
1.75 mm
Länge:
4.9 mm
Produkt:
MOSFET
Serie:
ZXMS6004
Transistortyp:
2 N-Channel
Typ:
Intelligenz
Breite:
3.9 mm
Marke:
Eingebaute Dioden
Abfallzeit:
15 us
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
10 us
Werkspackungsmenge:
2500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
45 us
Typische Einschaltverzögerungszeit:
5 us
Gewichtseinheit:
0.002610 oz
Tags
ZXMS6004DN, ZXMS6004D, ZXMS6004, ZXMS6, ZXMS, ZXM
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Dual N-Channel 60 V 500 mOhm 1.56 W Silicon Mosfet - SOIC-8
***et Europe
Trans MOSFET Array Dual N-CH 60V 1.2A 8-Pin SOIC T/R
***des Inc SCT
60V N-CHANNEL SELF PROTECTED ENHANCEMENT MODE INTELLIFET MOSFET, 1.2A, 1.56W
***ical
Current Limit SW 2-IN 2-OUT 0V to 5.5V 1.2A 8-Pin SO T/R
***ronik
2xLSS 500mOhm 30V 10A SO-8 SMD
***i-Key
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
***ark
Mosfet, Dual N-Ch, 60V, 1.2A, Soic; Transistor Polarity:dual N Channel; Continuous Drain Current Id:1.2A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(On):0.35Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Rohs Compliant: Yes
IntelliFET Self-Protected MOSFETs
Diodes Inc. IntelliFET Self-Protected MOSFETs integrate a power MOSFET with a complete array of protection circuits. These protections guard against ESD, over-current, over-voltage and over-temperature conditions. Intelligent MOSFETs sense potentially catastrophic conditions and protects themselves and the connected loads. These protection functions improve overall system reliability. Additional features like status flags provide diagnostic capabilities that aid isolation and rectification faults within a vehicle.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
ZXMS6004DN8-13
DISTI # ZXMS6004DN8-13DICT-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 1.3A SO8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		8835In Stock
  • 1000:$0.4665
  • 500:$0.5713
  • 100:$0.7545
  • 10:$0.9640
  • 1:$1.1000
ZXMS6004DN8-13
DISTI # ZXMS6004DN8-13DIDKR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 1.3A SO8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		8835In Stock
  • 1000:$0.4665
  • 500:$0.5713
  • 100:$0.7545
  • 10:$0.9640
  • 1:$1.1000
ZXMS6004DN8-13
DISTI # ZXMS6004DN8-13DITR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 1.3A SO8
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		7500In Stock
  • 2500:$0.4148
ZXMS6004DN8-13
DISTI # ZXMS6004DN8-13		Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 8-Pin SOIC T/R (Alt: ZXMS6004DN8-13)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 2500:€0.3799
  • 5000:€0.3609
  • 10000:€0.3559
  • 15000:€0.3499
  • 25000:€0.3339
ZXMS6004DN8-13
DISTI # ZXMS6004DN8-13		Diodes IncorporatedTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: ZXMS6004DN8-13)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel		Americas - 0
  • 2500:$0.3479
  • 5000:$0.3309
  • 10000:$0.3159
  • 15000:$0.3009
  • 25000:$0.2949
ZXMS6004DN8-13
DISTI # 621-ZXMS6004DN8-13		Diodes IncorporatedMOSFET Dual 60V N-Ch FET 500mOhm 1.3A 120mJ
RoHS: Compliant		30448
  • 1:$0.8200
  • 10:$0.6820
  • 100:$0.4400
  • 1000:$0.3520
Bild Teil # Beschreibung
TLV1701QDBVRQ1

Mfr.#: TLV1701QDBVRQ1

OMO.#: OMO-TLV1701QDBVRQ1

 Analog Comparators MICROPOWER COMPARATOR
SMA4F5.0A

Mfr.#: SMA4F5.0A

OMO.#: OMO-SMA4F5-0A

 TVS Diodes / ESD Suppressors DFD PROTECTION
SMA4F12A

Mfr.#: SMA4F12A

OMO.#: OMO-SMA4F12A

 TVS Diodes / ESD Suppressors DFD PROTECTION
SN65HVD230QDRG4Q1

Mfr.#: SN65HVD230QDRG4Q1

OMO.#: OMO-SN65HVD230QDRG4Q1

 CAN Interface IC Auto Cat 3.3V CAN Transceivers
MBT3946DW1T2G

Mfr.#: MBT3946DW1T2G

OMO.#: OMO-MBT3946DW1T2G

 Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Complementary
TLV75733PDBVR

Mfr.#: TLV75733PDBVR

OMO.#: OMO-TLV75733PDBVR

 LDO Voltage Regulators 1A LDO
150060GS75000

Mfr.#: 150060GS75000

OMO.#: OMO-150060GS75000

 Standard LEDs - SMD WL-SMCW SMDMono TpVw Waterclr 0603 Green
BNO055

Mfr.#: BNO055

OMO.#: OMO-BNO055

 IMUs - Inertial Measurement Units Absolute Orientation 9-Axis Sensor
REF3333AIDBZR

Mfr.#: REF3333AIDBZR

OMO.#: OMO-REF3333AIDBZR

 Voltage References 30ppm/C Drift 3.9uA Vltg Ref
REF3333AIDBZR

Mfr.#: REF3333AIDBZR

OMO.#: OMO-REF3333AIDBZR-TEXAS-INSTRUMENTS

 Voltage References 30ppm/C Drift 3.9uA Vltg Ref
Verfügbarkeit
Aktie:
31
Auf Bestellung:
2014
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Der aktuelle Preis von ZXMS6004DN8-13 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
0,82 $
0,82 $
10
0,68 $
6,82 $
100
0,44 $
44,00 $
1000
0,35 $
352,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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