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FFSP3065B-F085

FFSP3065B-F085
Mfr. #:
FFSP3065B-F085
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
Schottky Diodes & Rectifiers Auto SiC Schottky Diode, 650 V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FFSP3065B-F085 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
FFSP3065B-F085 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
Schottky-Dioden und Gleichrichter
RoHS:
Y
Produkt:
Schottky-Siliziumkarbid-Dioden
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-2
Wenn - Vorwärtsstrom:
20 A
Vrrm - Repetitive Sperrspannung:
650 V
Vf - Durchlassspannung:
1.38 V at 20 A
Ifsm - Vorwärtsstoßstrom:
84 A
Aufbau:
Single
Technologie:
SiC
Ir - Gegenstrom:
0.5 uA
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Qualifikation:
AEC-Q101
Verpackung:
Rohr
Marke:
ON Semiconductor
Pd - Verlustleistung:
150 W
Produktart:
Schottky-Dioden und Gleichrichter
Werkspackungsmenge:
800
Unterkategorie:
Dioden & Gleichrichter
Vr - Sperrspannung:
650 V
Tags
FFSP3, FFSP, FFS
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Wide Bandgap SiC Devices
ON Semiconductor Wide Bandgap Silicon Carbide (SiC) Devices incorporate a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include the highest efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. ON Semiconductor’s SiC portfolio includes 650V and 1200V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.
650V SiC Schottky Diodes
ON Semiconductor 650V Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high-efficiency, fast operating frequency, high-power density, low EMI, and reduced system size and cost.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FFSP3065B-F085
DISTI # FFSP3065B-F085-ND		ON SemiconductorSIC DIODE 650V
RoHS: Compliant
Min Qty: 800
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 800:$4.3400
FFSP3065B-F085
DISTI # FFSP3065B-F085		ON SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode 650V 30A 2-Pin TO-220 Through Hole Tube - Rail/Tube (Alt: FFSP3065B-F085)
RoHS: Compliant
Min Qty: 800
Container: Tube		Americas - 0
  • 8000:$3.3900
  • 3200:$3.4900
  • 4800:$3.4900
  • 800:$3.5900
  • 1600:$3.5900
FFSP3065B-F085
DISTI # 863-FFSP3065B-F085		ON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers Auto SiC Schottky Diode, 650 V
RoHS: Compliant		0
  • 800:$4.3300
  • 1600:$3.7800
Bild Teil # Beschreibung
FFSP3065B-F085

Mfr.#: FFSP3065B-F085

OMO.#: OMO-FFSP3065B-F085

 Schottky Diodes & Rectifiers Auto SiC Schottky Diode, 650 V
FFSP3065A

Mfr.#: FFSP3065A

OMO.#: OMO-FFSP3065A

 Schottky Diodes & Rectifiers 650V SiC SBD 30A
FFSP3065A

Mfr.#: FFSP3065A

OMO.#: OMO-FFSP3065A-ON-SEMICONDUCTOR

 DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2
FFSP3065B-F085

Mfr.#: FFSP3065B-F085

OMO.#: OMO-FFSP3065B-F085-1190

 SIC DIODE 650V
FFSP3065

Mfr.#: FFSP3065

OMO.#: OMO-FFSP3065-1190

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Available
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Stückpreis
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4,33 $
3 464,00 $
1600
3,78 $
6 048,00 $
3200
3,64 $
11 648,00 $
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