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IXFH7N100P

IXFH7N100P
Mfr. #:
IXFH7N100P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET DISCMOSFETN-CH HIPERFET-POLAR
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFH7N100P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFH7N100P DatasheetIXFH7N100P Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFH7N100P Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
1 kV
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
1.9 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
47 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
300 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
44 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
49 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
42 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
25 ns
Tags
IXFH7N, IXFH7, IXFH, IXF
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFH7N100P
DISTI # V36:1790_17736277		IXYS CorporationIXFH7N100P
2198
3147229
RoHS: Compliant		0
  • 30000:$3.7940
  • 15000:$3.7990
  • 3000:$4.5560
  • 300:$6.1380
  • 30:$6.4170
IXFH7N100P
DISTI # IXFH7N100P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH
RoHS: Not compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$6.4167
IXFH7N100P
DISTI # IXFH7N100P		IXYS CorporationTransistor: N-MOSFET,Polar™,unipolar,1kV,7A,300W,TO247-355
  • 30:$4.6500
  • 10:$5.1700
  • 3:$5.8600
  • 1:$6.5100
Bild Teil # Beschreibung
IXFH70N30Q3

Mfr.#: IXFH70N30Q3

OMO.#: OMO-IXFH70N30Q3

 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A
IXFH76N07-11

Mfr.#: IXFH76N07-11

OMO.#: OMO-IXFH76N07-11

 MOSFET 70V 76A
IXFH7N90Q

Mfr.#: IXFH7N90Q

OMO.#: OMO-IXFH7N90Q

 MOSFET 7 Amps 900V 1.5W Rds
IXFH75N10E

Mfr.#: IXFH75N10E

OMO.#: OMO-IXFH75N10E-1190

 Neu und Original
IXFH72N30X3

Mfr.#: IXFH72N30X3

OMO.#: OMO-IXFH72N30X3-IXYS-CORPORATION

 300V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
IXFH76N15T2

Mfr.#: IXFH76N15T2

OMO.#: OMO-IXFH76N15T2-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH
IXFH70N20Q3

Mfr.#: IXFH70N20Q3

OMO.#: OMO-IXFH70N20Q3-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
IXFH74N20

Mfr.#: IXFH74N20

OMO.#: OMO-IXFH74N20-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 74 Amps 200V 0.03 Rds
IXFH75N10Q

Mfr.#: IXFH75N10Q

OMO.#: OMO-IXFH75N10Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds
IXFH7N90Q

Mfr.#: IXFH7N90Q

OMO.#: OMO-IXFH7N90Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 7 Amps 900V 1.5W Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
2500
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
8,99 $
8,99 $
10
8,10 $
81,00 $
25
6,74 $
168,50 $
50
6,26 $
313,00 $
100
6,12 $
612,00 $
250
5,59 $
1 397,50 $
500
5,09 $
2 545,00 $
1000
4,86 $
4 860,00 $
2500
4,16 $
10 400,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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