OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hallo, melde dich anMein Konto
0 Wagen

C3M0065090D

C3M0065090D
Mfr. #:
C3M0065090D
Hersteller:
N/A
Beschreibung:
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
C3M0065090D Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
C3M0065090D Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Cree, Inc.
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
SiC
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
900 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
90 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.8 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
18 V, - 8 V
Qg - Gate-Ladung:
30.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
125 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Produkt:
Leistungs-MOSFET
Typ:
Siliziumkarbid-MOSFET
Marke:
Wolfspeed / Cree
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
11.6 S
Abfallzeit:
25 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
36 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
21 ns
Gewichtseinheit:
1.340411 oz
Tags
C3M00650, C3M006, C3M00, C3M0, C3M
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
***Components
N-CHAN SIC MOSFET 900V 36A TO247
***ark
MOSFET, N-CH, 900V, 36A, TO-247
***i-Key
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
***hardson RFPD
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
C3M™ Family Silicon Carbide Power MOSFETs
Cree C3M™ Family Silicon Carbide Power MOSFETs are the latest breakthrough in SiC power device technology and the industry's first 900V MOSFET platform. They are optimized for high-frequency power electronic applications. This includes renewable-energy inverters, electric-vehicle charging systems, and three-phase industrial power supplies. The new 900V platform enables smaller and higher-efficiency next-generation power conversion systems at cost parity with silicon-based solutions.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
C3M0065090D
DISTI # V99:2348_06265412		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		600
  • 1:$10.2000
C3M0065090D
DISTI # C3M0065090D-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		3661In Stock
  • 1:$10.5000
C3M0065090D
DISTI # 31274973		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		600
  • 1:$10.2000
C3M0065090D
DISTI # 941-C3M0065090D		Cree, Inc.MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
RoHS: Compliant		0
  • 1:$9.9800
C3M0065090D
DISTI # 9158836		Cree, Inc.N-CHAN SIC MOSFET 900V 36A TO247, EA265
  • 1:£7.7300
  • 5:£7.5000
  • 10:£7.2500
  • 30:£7.0000
  • 90:£6.8500
C3M0065090D
DISTI # 9158836P		Cree, Inc.N-CHAN SIC MOSFET 900V 36A TO247, TU296
  • 5:£7.5000
  • 10:£7.2500
  • 30:£7.0000
  • 90:£6.8500
C3M0065090D
DISTI # C3M0065090D		WolfspeedTransistor: N-MOSFET,SiC,unipolar,900V,36A,125W,TO247-360
  • 1:$17.9400
  • 3:$15.0700
  • 10:$11.9000
C3M0065090D
DISTI # C3M0065090D		WolfspeedSILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
RoHS: Compliant		0
  • 600:$8.4800
  • 1000:$7.6500
  • 10000:$7.0100
C3M0065090D
DISTI # 2630832		WolfspeedMOSFET, N-CH, 900V, 36A, TO-247
RoHS: Compliant		0
  • 1:£9.0500
  • 5:£8.4600
  • 10:£8.2900
  • 50:£8.1200
  • 100:£7.9500
Bild Teil # Beschreibung
E3M0065090D

Mfr.#: E3M0065090D

OMO.#: OMO-E3M0065090D

 MOSFET 900V 65mOhms G3 SiC MOSFET
TPS40210DGQR

Mfr.#: TPS40210DGQR

OMO.#: OMO-TPS40210DGQR

 Switching Controllers Wide Input Rnge Crnt Mode Boost Cntrlr
C3M0120090D

Mfr.#: C3M0120090D

OMO.#: OMO-C3M0120090D

 MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
CKG32KX7S1H106K335AJ

Mfr.#: CKG32KX7S1H106K335AJ

OMO.#: OMO-CKG32KX7S1H106K335AJ

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT CKG 1210 50V 10uF 10% T:3.35mm AECQ200
9G0924G1D01

Mfr.#: 9G0924G1D01

OMO.#: OMO-9G0924G1D01

 DC Fans DC Fan, 92x38mm, 24VDC, High Performance, Locked Rotor Sensor
R24P21503D

Mfr.#: R24P21503D

OMO.#: OMO-R24P21503D-RECOM-POWER

 2W DC/DC-CONVERTER 'ECONOLINE'
VXO78012-1000

Mfr.#: VXO78012-1000

OMO.#: OMO-VXO78012-1000-CUI

 DC DC CONVERTER 12V OR -12V
C3M0120090D

Mfr.#: C3M0120090D

OMO.#: OMO-C3M0120090D-WOLFSPEED

 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
E3M0065090D

Mfr.#: E3M0065090D

OMO.#: OMO-E3M0065090D-WOLFSPEED

 E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M
TPS40210DGQR

Mfr.#: TPS40210DGQR

OMO.#: OMO-TPS40210DGQR-TEXAS-INSTRUMENTS

 Switching Controllers Wide Input Rnge Crnt Mode Boost Cntrl
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1985
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von C3M0065090D dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
9,98 $
9,98 $
100
9,62 $
962,00 $
500
9,15 $
4 575,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
Beginnen mit
Top