STS3C2F100

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

145 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.65 mm

Länge:

5 mm

Serie:

STS3C2F100

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

20 ns, 7.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns, 20 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32 ns, 33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns, 14 ns

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

STS3, STS