STS4C3F60L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

55 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.65 mm

Länge:

5 mm

Serie:

STS4C3F60L

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

7.2 S

Abfallzeit:

10 ns, 14.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

28 ns, 54 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns, 39 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns, 124 ns

Gewichtseinheit:

0.002998 oz

Tags

STS4, STS