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SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4932DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4932DY-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SI4932DY-T1-GE3 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teil-Aliasnamen
SI4932DY-GE3
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
8-SO
Aufbau
Dual Dual Drain
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
3.2W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
30V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
1750pF @ 15V
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
15 mOhm @ 7A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
48nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
8 ns
Anstiegszeit
10 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
15 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
26 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
21 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI493, SI49, SI4
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Packaging Boxes
***ure Electronics
Si4932DY Series Dual N-Channel 30 V 15 mOhms Surface Mount Power Mosfet-SOIC-8
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Si4 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si4 MOSFETs are TrenchFET® power MOSFETs used for amplifying electronic signals. These Si4 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- & P-channel. The Si4 MOSFETs offer different VGS, VDS, and temperature ranges. The Si4 MOSFETs operate in an enhancement mode and used for switching between electronic signals. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4932DY-T1-GE3
DISTI # SI4932DY-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.6237
SI4932DY-T1-GE3
DISTI # SI4932DY-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4932DY-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel		Americas - 0
  • 2500:$0.5889
  • 5000:$0.5719
  • 10000:$0.5479
  • 15000:$0.5329
  • 25000:$0.5189
SI4932DY-T1-GE3
DISTI # SI4932DY-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4932DY-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape and Reel		Asia - 0
  • 2500:$0.6412
  • 5000:$0.4933
  • 7500:$0.3926
  • 12500:$0.3317
  • 25000:$0.3054
  • 62500:$0.2960
  • 125000:$0.2871
SI4932DY-T1-GE3
DISTI # 781-SI4932DY-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.4200
  • 10:$1.1700
  • 100:$0.8960
  • 500:$0.7700
  • 1000:$0.6760
  • 2500:$0.6750
SI4932DY-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
RoHS: Compliant		Americas -
    Bild Teil # Beschreibung
    SI4932DY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4932DY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4932DY-T1-GE3

    		 MOSFET 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
    SI4932DY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4932DY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4932DY-T1-GE3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
    SI4932DY-T1-E3

    Mfr.#: SI4932DY-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI4932DY-T1-E3-1190

    		 Neu und Original
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