MMBTA92,215

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-236AB-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

300 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

300 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

50 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

25 at 1 mA, 10 V

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.4 mm

Marke:

Nexperia

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

25 at 1 mA, 10 V, 40 at 10 mA, 10 V, 25 at 30 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

250 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

MMBTA92 T/R

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

MMBTA92,2, MMBTA92, MMBTA9, MMBTA, MMBT, MMB