ZXMN2A04DN8TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

35 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.1 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5 mm

Serie:

ZXMN2A

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

30.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14.8 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.9 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

ZXMN2A0, ZXMN2A, ZXMN2, ZXMN, ZXM