TSM9933DCS

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

60 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 P-Channel

Typ:

P-Kanal

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

11 S

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

35 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Gewichtseinheit:

0.030018 oz

Tags

TSM9933, TSM993, TSM99, TSM9, TSM