CSD87381PT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PTAB-5

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

15 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15.7 mOhms, 7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.9 V, 1.7 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

3.9 nC, 8.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

4 W

Aufbau:

Dual

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.48 mm

Länge:

3 mm

Serie:

CSD87381P

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

Synchrone Buck-NexFET-Leistungsstufe

Breite:

2.5 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

40 S, 89 S

Abfallzeit:

3 ns, 2.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

19.3 ns, 16.3 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10.6 ns, 16.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.7 ns, 7.9 ns

Tags

CSD87381, CSD8738, CSD873, CSD87, CSD8, CSD