FDFC3N108

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SSOT-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

70 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

960 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.6 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

10 S

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Teil # Aliase:

FDFC3N108_NL

Gewichtseinheit:

0.001270 oz

Tags

FDFC3, FDFC, FDF