FDD8876

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

73 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

70 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

FDD8876

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Power Trench MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

37 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

91 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

44 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Teil # Aliase:

FDD8876_NL

Gewichtseinheit:

0.009184 oz

Tags

FDD887, FDD88, FDD8, FDD