IXBF55N300

IXBF55N300
Mfr. #:
IXBF55N300
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
Bipolar Transistors - BJT High Voltage High Gain BIMOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXBF55N300 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
IGBTs - Single
Montageart
Durchgangsloch
Handelsname
BIMOSFET
Paket-Koffer
ISOPLUS i4-PAK-3
Technologie
Si
Aufbau
Single
Pd-Verlustleistung
357 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Kollektor-Emitter-Spannung-VCEO-Max
3 kV
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.7 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom-bei-25-C
86 A
Gate-Emitter-Leckstrom
+/- 200 nA
Maximale Gate-Emitter-Spannung
+/- 25 V
Tags
IXBF, IXB
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXBF55N300
DISTI # 747-IXBF55N300
IXYS CorporationIGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET
RoHS: Compliant
0
  • 1:$80.9100
  • 5:$79.9700
  • 10:$76.1600
  • 25:$71.4000
  • 50:$69.0200
  • 100:$66.6400
Bild Teil # Beschreibung
IXBF55N300

Mfr.#: IXBF55N300

OMO.#: OMO-IXBF55N300

IGBT Transistors High Voltage High Gain BIMOSFET
IXBF50N360

Mfr.#: IXBF50N360

OMO.#: OMO-IXBF50N360

IGBT Transistors 3600V/70A Reverse Conducting IGBT
IXBF50N360

Mfr.#: IXBF50N360

OMO.#: OMO-IXBF50N360-IXYS-CORPORATION

IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
IXBF55N300

Mfr.#: IXBF55N300

OMO.#: OMO-IXBF55N300-122

Bipolar Transistors - BJT High Voltage High Gain BIMOSFET
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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99,96 $
10
94,96 $
949,62 $
100
89,96 $
8 996,40 $
500
84,97 $
42 483,00 $
1000
79,97 $
79 968,00 $
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