NTTD1P02R2G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Micro-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.45 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

160 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.95 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

2 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.5 S

Abfallzeit:

20 ns, 30 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns, 30 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Tags

NTTD1, NTTD, NTT