ZXMN2F34MATA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN322-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

60 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

6.6 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.95 mm

Länge:

2.1 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.1 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

5.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

9.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.65 ns

Gewichtseinheit:

0.000317 oz

Tags

ZXMN2F34, ZXMN2F, ZXMN2, ZXMN, ZXM