IRFHS8342TR2PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

16 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

8.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

18 S

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

400

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

5.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.9 ns

Teil # Aliase:

SP001575842

Gewichtseinheit:

0.017637 oz

Tags

IRFHS83, IRFHS8, IRFHS, IRFH, IRF