STL86N3LLH6AG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerFLAT-5x6-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

17 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

60 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

6.6 mm

Produkt:

Leistungs-MOSFET

Serie:

STL86N3LLH6AG

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

STripFET H6

Breite:

5.4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

37 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.5 ns

Tags

STL8, STL