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TGA2216-SM

TGA2216-SM
Mfr. #:
TGA2216-SM
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF Amplifier .3-3GHz 10W Gain 21dB GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGA2216-SM Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TGA2216-SM Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-Verstärker
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
QFN-32
Typ:
GaN-Leistungsverdoppler MMIC
Technologie:
GaN SiC
Arbeitsfrequenz:
0.1 GHz to 3 GHz
P1dB - Kompressionspunkt:
35 dBm
Gewinnen:
21 dB
Betriebsversorgungsspannung:
40 V
NF - Rauschzahl:
-
Betriebsversorgungsstrom:
360 mA
Produkt:
GaN
Marke:
Qorvo
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Eingangsrückflussdämpfung:
8 dB
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Pd - Verlustleistung:
28 W
Produktart:
HF-Verstärker
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
Drahtlose und integrierte HF-Schaltungen
Versorgungsspannung - Max.:
48 V
Teil # Aliase:
1115736
Gewichtseinheit:
0.006653 oz
Tags
TGA2216, TGA221, TGA22, TGA2, TGA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***W
Amplifier, Power, 0.1 to 3.0 GHz, 10 W, 21 dB, 40 V, GaN
TGA2216 Wideband GaN Power Amplifier
Qorvo TGA2216 Wideband GaN Power Amplifier is a cascode amplifier fabricated on TriQuint's production 0.25um GaN on SiC process. The cascode configuration offers exceptional wideband performance as well as supporting 48V operation. The TGA2216 operates from 0.1 - 3.0GHz and provides 12W of saturated output power with 14dB of large signal gain and greater than 40% power-added efficiency. The broadband performance supports both radar and communication applications across defense and commercial markets as well as electronic warfare. The TGA2216 is fully matched to 50Ω at both RF ports allowing for simple system integration. DC blocks are required on both RF ports and the drain voltage must be injected through an off chip bias-tee on the RF output port.Learn More
GaN Power Amplifiers
Qorvo GaN Power Amplifiers allow unique, cost-effective solutions across a variety of applications. With these high-power amplifiers designed for military, commercial, satellite communications and radar systems, Qorvo offers GaN-based products meeting today's market needs and future requirements.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGA2216-SM
DISTI # 772-TGA2216-SM		QorvoRF Amplifier .3-3GHz 10W Gain 21dB GaN
RoHS: Compliant		48
  • 1:$140.0000
  • 25:$112.0000
Bild Teil # Beschreibung
F2255NLGK

Mfr.#: F2255NLGK

OMO.#: OMO-F2255NLGK

 Attenuators RF Attenuator 1.1dB 1MHz to 3000MHz
HMC1118LP3DE

Mfr.#: HMC1118LP3DE

OMO.#: OMO-HMC1118LP3DE

 RF Switch ICs Switch SPDT 27dBm Term
L6470PD

Mfr.#: L6470PD

OMO.#: OMO-L6470PD

 Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers dSPIN 7.0A 8 - 45 V DMOS Motor Driver
NCP45560IMNTWG-H

Mfr.#: NCP45560IMNTWG-H

OMO.#: OMO-NCP45560IMNTWG-H

 Power Switch ICs - Power Distribution NCP45560IMNTWG-H
STM32F207VGT6

Mfr.#: STM32F207VGT6

OMO.#: OMO-STM32F207VGT6

 ARM Microcontrollers - MCU 32BIT ARM Cortex M3 Connectivity 1024kB
RC0603FR-071KL

Mfr.#: RC0603FR-071KL

OMO.#: OMO-RC0603FR-071KL

 Thick Film Resistors - SMD 1K OHM 1%
TMK042CG0R8AD-W

Mfr.#: TMK042CG0R8AD-W

OMO.#: OMO-TMK042CG0R8AD-W

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 25volts 0.8pF C0G 01005 0.05pF Tol
HMC1118LP3DE

Mfr.#: HMC1118LP3DE

OMO.#: OMO-HMC1118LP3DE-ANALOG-DEVICES

 RF Switch ICs Switch SPDT 27dBm Term
STM32F207VGT6

Mfr.#: STM32F207VGT6

OMO.#: OMO-STM32F207VGT6-STMICROELECTRONICS

 IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100LQFP
L6470PD

Mfr.#: L6470PD

OMO.#: OMO-L6470PD-STMICROELECTRONICS

 IC MOTOR DRIVER BIPLR 36POWERSSO
Verfügbarkeit
Aktie:
28
Auf Bestellung:
2011
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
140,00 $
140,00 $
25
112,00 $
2 800,00 $
100
89,00 $
8 900,00 $
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