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SI4210DY-T1-GE3

SI4210DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4210DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4210DY-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Teil-Aliasnamen
SI4210DY-GE3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
8-SO
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
2.7W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
30V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
445pF @ 15V
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
6.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
12nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
2.7 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
6.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
35.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Tags
SI4210DY, SI4210D, SI4210, SI421, SI42, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
Dual N Channel Mosfet, 30V, 6.5A
***ment14 APAC
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.5A; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.5A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:5.2A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:30V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.0295ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4210DY-T1-GE3
DISTI # SI4210DY-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		855In Stock
  • 500:$0.3966
  • 100:$0.5353
  • 10:$0.6940
  • 1:$0.7900
SI4210DY-T1-GE3
DISTI # SI4210DY-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 2500:$0.2791
SI4210DY-T1-GE3
DISTI # SI4210DY-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Limited Supply - Call
    SI4210DY-T1-GE3
    DISTI # 781-SI4210DY-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 6.5A 2.7W 35.5mohm @ 10V
    RoHS: Compliant    		2500
    • 1:$0.7000
    • 10:$0.5590
    • 100:$0.4240
    • 500:$0.3500
    • 1000:$0.2800
    • 2500:$0.2540
    • 5000:$0.2370
    • 10000:$0.2280
    • 25000:$0.2190
    Bild Teil # Beschreibung
    SI4210D-GMR

    Mfr.#: SI4210D-GMR

    OMO.#: OMO-SI4210D-GMR-1190

    		 Neu und Original
    SI4210DGM

    Mfr.#: SI4210DGM

    OMO.#: OMO-SI4210DGM-1190

    		 Neu und Original
    SI4210DY

    Mfr.#: SI4210DY

    OMO.#: OMO-SI4210DY-1190

    		 Neu und Original
    SI4210DY-T1-E3

    Mfr.#: SI4210DY-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI4210DY-T1-E3-1190

    		 Neu und Original
    SI4210DY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4210DY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4210DY-T1-GE3-VISHAY

    		 MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
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    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    2500
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    1
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    0,33 $
    10
    0,31 $
    3,12 $
    100
    0,30 $
    29,57 $
    500
    0,28 $
    139,60 $
    1000
    0,26 $
    262,80 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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