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DTA124EET1G

DTA124EET1G
Mfr. #:
DTA124EET1G
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DTA124EET1G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
DTA124EET1G DatasheetDTA124EET1G Datasheet (P4-P6)DTA124EET1G Datasheet (P7-P9)DTA124EET1G Datasheet (P10-P12)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
Y
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
PNP
Typischer Eingangswiderstand:
22 kOhms
Typisches Widerstandsverhältnis:
1
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SC-75-3
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
60
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
0.1 A
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
200 mW
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
DTA124EE
Verpackung:
Spule
DC-Stromverstärkung hFE Max:
60
Höhe:
0.75 mm
Länge:
1.6 mm
Breite:
0.8 mm
Marke:
ON Semiconductor
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
DTA124EET, DTA124EE, DTA124E, DTA124, DTA12, DTA1, DTA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***r Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
***p One Stop
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
***emi
PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
***et
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R
***ure Electronics
DTA124EE Series 50 V 0.1 A 22 kOhms SMT PNP Digital Transistor - SC-75-3
***ark
Brt Transistor, 50V, 22K/22Kohm, Sc-75-3; Digital Transistor Polarity:single Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100Ma; Base Input Resistor R1:22Kohm; Base-Emitter Resistor R2:22Kohm Rohs Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
DTA124EET1G
DISTI # 26637956		ON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-416 T/R
RoHS: Compliant		33000
  • 99000:$0.0131
  • 45000:$0.0144
  • 24000:$0.0162
  • 12000:$0.0179
DTA124EET1G
DISTI # DTA124EET1G-ND		ON SemiconductorTRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
RoHS: Compliant
Min Qty: 30000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    DTA124EET1G
    DISTI # DTA124EET1G    		ON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R (Alt: DTA124EET1G)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Tape and Reel    		Europe - 81000
    • 3000:€0.0196
    • 6000:€0.0191
    • 12000:€0.0176
    • 18000:€0.0171
    • 30000:€0.0157
    DTA124EET1G
    DISTI # DTA124EET1G    		ON SemiconductorTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R - Tape and Reel (Alt: DTA124EET1G)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 33000
    Container: Reel    		Americas - 0
    • 33000:$0.0135
    • 39000:$0.0134
    • 72000:$0.0132
    • 165000:$0.0130
    • 330000:$0.0127
    DTA124EET1GON Semiconductor 
    RoHS: Not Compliant    		213000
    • 1:$0.0200
    • 25:$0.0200
    • 100:$0.0200
    • 500:$0.0200
    • 1000:$0.0200
    DTA124EET1G
    DISTI # 863-DTA124EET1G    		ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
    RoHS: Compliant    		32898
    • 1:$0.1500
    • 10:$0.1330
    • 100:$0.0470
    • 1000:$0.0310
    • 3000:$0.0240
    • 9000:$0.0210
    • 24000:$0.0190
    • 45000:$0.0170
    • 99000:$0.0140
    Bild Teil # Beschreibung
    NGTB40N120L3WG

    Mfr.#: NGTB40N120L3WG

    OMO.#: OMO-NGTB40N120L3WG

    		 IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 LOW VC
    HS25 12R J

    Mfr.#: HS25 12R J

    OMO.#: OMO-HS25-12R-J

    		 Wirewound Resistors - Chassis Mount 25W 12 Ohms 5%
    IRF1010EPBF

    Mfr.#: IRF1010EPBF

    OMO.#: OMO-IRF1010EPBF

    		 MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
    HS25 10R F

    Mfr.#: HS25 10R F

    OMO.#: OMO-HS25-10R-F-OHMITE

    		 RESISTOR, WIREWOUND, 10R, 1%, AXIAL
    IRF1010EPBF

    Mfr.#: IRF1010EPBF

    OMO.#: OMO-IRF1010EPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
    NGTB40N120L3WG

    Mfr.#: NGTB40N120L3WG

    OMO.#: OMO-NGTB40N120L3WG-ON-SEMICONDUCTOR

    		 IGBT 1200V 160A TO247
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    32
    Auf Bestellung:
    2015
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    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    0,15 $
    0,15 $
    10
    0,13 $
    1,33 $
    100
    0,05 $
    4,70 $
    1000
    0,03 $
    31,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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