FDY2001PZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

T

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-89-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

150 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

630 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.6 mm

Länge:

1.6 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

2 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.2 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.7 S

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Gewichtseinheit:

0.001129 oz

Tags

FDY2, FDY