STP33N60DM6

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

25 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

128 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.25 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

35 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

190 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Tags

STP33N60, STP33N6, STP33N, STP33, STP3, STP