IXTQ32P20T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3P-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

32 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

130 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Qg - Gate-Ladung:

185 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

57 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

32 ns

Tags

IXTQ3, IXTQ, IXT