SQM120N04-1m9_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

270 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.65 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

166 S

Abfallzeit:

92 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

248 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Gewichtseinheit:

0.068654 oz

Tags

SQM120N04-1m9, SQM120N04-1, SQM120N04, SQM120N0, SQM120N, SQM12, SQM1, SQM