AUIRFN8458TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

43 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.9 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

22 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

34 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.2 mm

Länge:

6 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

56 S

Abfallzeit:

19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

71 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.7 ns

Teil # Aliase:

SP001522712

Tags

AUIRFN845, AUIRFN8, AUIRFN, AUIRF, AUIR, AUI