TK4R3E06PL,S1X

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

106 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

48.2 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

87 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

15.1 mm

Länge:

10.16 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.45 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

18 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

55 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

24 ns

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

TK4R3E, TK4R3, TK4R, TK4