IRF9389TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.8 A, 4.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

22 mOhms, 51 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

6.8 nC, 8.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Handelsname:

HEXFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

IRF939

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8.2 S, 4.1 S

Abfallzeit:

3.9 ns, 15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.8 ns, 14 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

4.9 ns, 17 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.1 ns, 8 ns

Teil # Aliase:

SP001551666

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

IRF938, IRF93, IRF9, IRF