ECH8652-TL-H

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

ECH-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

49 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

11 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Aufbau:

Dual

Verpackung:

Spule

Serie:

ECH8652

Transistortyp:

2 P-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

87 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

72 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

105 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Tags

ECH865, ECH86, ECH8, ECH