NTMD3P03R2G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.05 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

85 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5 mm

Serie:

NTMD3P03

Transistortyp:

2 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5 S

Abfallzeit:

35 ns, 45 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

42 ns, 16 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32 ns, 45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns, 12 ns

Gewichtseinheit:

0.006596 oz

Tags

NTMD3P03R, NTMD3P, NTMD3, NTMD, NTM